ReRAM, ou células de memória resistiva, é um tipo de memória não volátil que compartilha algumas semelhanças com a memória de mudança de fase, pois ambas são consideradas tipos de tecnologias de memristor.
ReRAM, também chamado de RRAM (Resistive Random Access Memory), é considerado um tipo de tecnologia de memristor - um dispositivo eletrônico de dois terminais passivos que é projetado para expressar apenas a propriedade de um componente eletrônico que o permite recordar a última resistência que tinha antes sendo desligada (“memristance“).
Como funciona o ReRAM
ReRAM armazena dados usando íons (átomos carregados) como mudanças na resistência elétrica, ao invés de elétrons. De acordo com pesquisadores da J lich Aachen Research Alliance (JARA), a memória resistiva pode reduzir o consumo de energia de sistemas de TI modernos enquanto aumenta o desempenho.
Em células de memória de comutação resistiva (ReRAMs), os íons se comportam na escala nanométrica de maneira semelhante a uma bateria. As células têm dois eletrodos, por exemplo feitos de prata e platina, nos quais os íons se dissolvem e precipitam novamente. Isso altera a resistência elétrica, que pode ser explorada para armazenamento de dados. Além disso, os processos de redução e oxidação também têm outro efeito: geram voltagem elétrica. [Fonte: JARA]
Atualmente, várias empresas patentearam versões do ReRAM. Diferentes formas de ReRAM são baseadas no uso de diferentes materiais dielétricos, incluindo óxidos de metal.