Na estrada para chips de memória mais rápidos, menores e mais eficientes em termos energéticos: Pesquisadores da Universidade do Texas em Austin desenvolveram o que eles afirmam ser a memória mais fina do mundo até hoje a nível atômico, com uma densidade de armazenamento de 25 terabits por cm2.
A corrida para fazer fichas e componentes menores é sobre desempenho e conveniência. Os chips de memória mais pequenos prometem menores requisitos de potência com maior capacidade. Mas a miniaturização dos transístores está a atingir cada vez mais os seus limites físicos. A fim de reduzir ainda mais o tamanho dos componentes semicondutores, os pesquisadores devem aprender a compreender e dominar melhor os efeitos físicos e encontrar novas maneiras, por exemplo, para poder implementar chips de memória em um nível de nanoescala.
Usar furos em nanoescala no material semicondutor para efeitos de memória
Uma equipe de pesquisa da Universidade do Texas em Austin usou agora novos conhecimentos sobre a dinâmica física dos átomos metálicos para desenvolver memristores que são apenas um nível atômico fino. Assim, os cientistas usaram defeitos ou buracos no material para alcançar uma nova e alta densidade de memória.
Atomic memristors
Memristores - um portmanteau de memória e resistência inglesa, em referência ao transistor estabelecido (resistência de transferência) - ainda não apareceram em aplicações práticas, mas são uma área popular na pesquisa de memória, especialmente na miniaturização potencial de dispositivos de memória. O objetivo deste tipo de dispositivos é desenvolver componentes elétricos que possam mudar a resistência entre seus dois terminais sem a necessidade de um terceiro terminal no meio (um chamado portão). Desta forma, os memristores podem, em teoria, ser menores do que as memórias flash actuais enquanto têm mais capacidade de armazenamento.
Esta versão do memristor - desenvolvida com as instalações avançadas do Laboratório Nacional de Oak Ridge - promete uma capacidade de cerca de 25 terabits por centímetro quadrado. Em comparação, as memórias flash topo de gama disponíveis no mercado, como os chips BiCS4 QLC NAND da Toshiba, possuem actualmente 1,33 terabits/cm2. Entretanto, a equipe ainda não fornece uma estimativa de quanto tempo levaria para esta tecnologia de memória atingir maturidade técnica suficiente.
Os pesquisadores publicaram seus resultados na revista Nature Nanotechnology.
Este artigo apareceu pela primeira vez no portal Elektronik Praxis.