Um transistor de efeito de campo de arsenieto de gálio (GaAsFET) é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) que usa arsenieto de gálio (GaAs) como material do canal. Os GaAsFETs são usados em uma variedade de dispositivos eletrônicos, incluindo amplificadores de microondas, telefones celulares e sistemas de comunicação óptica.
Os GaAsFETs têm uma série de vantagens sobre outros tipos de FETs, incluindo uma maior mobilidade dos elétrons (que permite um transporte mais rápido dos elétrons), e um menor consumo de energia. Os GaAsFETs são também menos susceptíveis a danos por radiação do que outros tipos de FETs.
As desvantagens dos GaAsFETs incluem um custo de fabricação mais elevado, e uma corrente de fuga mais elevada (que pode levar à perda de energia). O que é um amplificador GaAs FET? Um amplificador FET é um amplificador que usa um transistor de efeito de campo (FET) como o elemento ativo. O amplificador FET pode ser usado como um amplificador de tensão, amplificador de corrente, ou conversor de impedância.
Os FETs são dispositivos com três terminais, portanto podem ser usados como dispositivos controlados por tensão ou por corrente. Em um amplificador FET controlado por tensão, a tensão aplicada ao terminal de porta controla a corrente que flui através do dispositivo. Em um amplificador FET controlado por corrente, a corrente que flui através do terminal da porta controla a corrente que flui através do dispositivo.
Os FETs são normalmente feitos de materiais como silício ou arsenieto de gálio. Os FETs baseados em silício são normalmente usados para aplicações de baixa freqüência, enquanto os FETs baseados em arsenieto de gálio são usados para aplicações de alta freqüência.
Quantos tipos de FETs existem?
Existem três tipos principais de transistor de efeito de campo (FET):
1. Transístor de efeito de campo metal-oxido-semicondutor (MOSFET)
2. Transístor de efeito de campo de junção (JFET)
3. Transístor de efeito de campo isolado (IGFET)
Os MOSFETs são o tipo mais comum de FET, e são utilizados numa grande variedade de dispositivos electrónicos. Os JFETs são usados em aplicações de baixa potência, e os IGFETs são usados em aplicações de alta potência.
Que tipo de colagem é em GaAs?
GaAs significa arsenieto de gálio, e é um tipo de semicondutor III-V. A designação III-V vem do fato de que GaAs tem elementos dos grupos III e V da tabela periódica em sua composição química. Os semicondutores III-V são uma classe de materiais que são utilizados em uma variedade de aplicações eletrônicas e optoeletrônicas.
Os GaAs têm uma estrutura de cristal de zinco-blenda, e a ligação nesta estrutura é covalente. A ligação covalente é um tipo de ligação química em que os átomos partilham electrões de modo a formar uma ligação estável. No caso dos GaAs, cada átomo de gálio compartilha um elétron com um átomo de arsênico. Isto cria uma forte ligação entre os átomos, e dá aos GaAs as suas propriedades semicondutoras.
Qual é a forma completa do MESFET? MESFET é um acrónimo de “transistor metal-semicondutor de efeito de campo”. Um MESFET é um tipo de transistor de efeito de campo (FET) que utiliza uma junção metal-semicondutor (MES) em vez de uma junção semicondutor-semicondutor convencional (SIS). Os MESFETs são normalmente utilizados para aplicações de alta frequência devido à sua baixa capacitância e resistência.
Onde são usados os MOSFETs? Os MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) são usados em uma variedade de dispositivos e circuitos eletrônicos. Eles são usados como interruptores, amplificadores e em reguladores de tensão. Os MOSFETs também são usados em chips de computador, células solares e luzes LED.