Definição – o que significa memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM)?
A memória de acesso aleatório dinâmica (DRAM) é um tipo de memória de acesso aleatório usada em dispositivos de computação (principalmente PCs). A DRAM armazena cada bit de dados em um componente eletrônico passivo separado que está dentro de uma placa de circuito integrado. Cada componente elétrico tem dois estados de valor em um bit chamados 0 e 1. Este captivator precisa ser atualizado com freqüência, caso contrário, as informações desaparecem. A DRAM tem um capacitor e um transistor por bit, em oposição à memória de acesso aleatório estática (SRAM), que requer 6 transistores. Os capacitores e transistores usados são excepcionalmente pequenos. Existem milhões de capacitores e transistores que cabem em um único chip de memória.
Definirtec explica a memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM)
DRAM é memória dinâmica e SRAM é memória estática. Os chips DRAM em uma placa de circuito precisam ser atualizados a cada poucos milissegundos. Isso é feito reescrevendo os dados no módulo. Os chips que precisam de atualização são memória volátil. A DRAM acessa a memória diretamente, retém a memória por um curto período e perde seus dados quando a energia é desligada. SRAM é uma memória volátil que é estática e não precisa ser atualizada. Como a SRAM é muito mais rápida, ela é usada em registradores e memória cache. SRAM mantém dados e executa em velocidades mais altas do que DRAM. Embora a SRAM seja mais rápida, a DRAM é usada com mais frequência na placa-mãe porque é muito mais barata de fabricar.
Os três principais tipos de placas de circuito que contêm chips de memória são módulos de memória em linha duplos (DIMMs), módulos de memória em linha simples (SIMMs) e módulos de memória em linha Rambus (RIMMs). Hoje, a maioria das placas-mãe usa DIMMs. A taxa de atualização do módulo para DRAM é a cada poucos milissegundos (1/1000 de segundo). Essa atualização é feita pelo controlador de memória localizado no chipset da placa-mãe. Como a lógica de atualização é usada para atualização automática, uma placa de circuito DRAM é bastante complexa. Existem diferentes sistemas usados para atualização, mas todos os métodos requerem um contador para controlar a linha que precisa ser atualizada em seguida. As células DRAM são organizadas em uma coleção quadrada de capacitores, normalmente 1024 por 1024 células. Quando uma célula está no estado de “leitura”, uma linha inteira é lida e a atualização é escrita de volta. Quando em um estado de “gravação”, uma linha inteira é “lida”, um valor é alterado e a linha inteira é reescrita. Dependendo do sistema, existem chips DRAM que contêm um contador, enquanto outros sistemas contam com uma lógica de atualização periférica que inclui um contador. O tempo de acesso da DRAM é de cerca de 60 nanossegundos, enquanto a SRAM pode ser tão baixa quanto 10 nanossegundos. Além disso, o tempo de ciclo da DRAM é muito mais longo do que o da SRAM. O tempo de ciclo da SRAM é mais curto porque não precisa parar entre acessos e atualizações.