Definição – O que significa Vertical Metal Oxide Semiconductor (VMOS)?
Um semicondutor de óxido de metal vertical (VMOS) é um tipo de transistor semicondutor de óxido de metal (MOS), assim chamado por causa da ranhura em forma de V que é cortada verticalmente no substrato para atuar como a porta do transistor para permitir a entrega de um maior quantidade de corrente vinda da fonte em direção ao “dreno” do dispositivo.
Um semicondutor vertical de óxido de metal também é conhecido como V-groove MOS.
Definirtec explica Vertical Metal Oxide Semiconductor (VMOS)
Um semicondutor de óxido de metal vertical é construído formando quatro camadas difusas diferentes em silício e, em seguida, gravando um sulco em forma de V no meio verticalmente em uma profundidade precisamente controlada através das camadas. O eletrodo de porta é então formado dentro da ranhura em forma de V, depositando metal, geralmente nitreto de gálio (GaN), sobre dióxido de silício na ranhura.
VMOS tem sido usado principalmente como um dispositivo de energia “paliativo” até que geometrias melhores, como o UMOS ou trench-gate MOS, foram introduzidas, o que cria um campo elétrico mais baixo no topo que leva a tensões máximas mais altas do que é possível com Transistores VMOS.